TVS器件的主要电参数
较da反向工作电压VRWM(或变位电压)器件反向工作时,在规定的IR下,器件两端的电压值称为较da反向工作电压VRWM。通常VRWM =(0.8~0.9)V (BR) 。在这个电压下,器件的功率消耗很小。使用时,应使VRWM 不低于被保护器件或线路的正常工作电压。4.较da箝位电压Vc(max ) 在脉冲峰值电流Ipp 作用下器件两端的较da电压值称为较da箝位电压。使用时,应使Vc(max )不**被保护器件的较da允许安全电压。较da箝位电压与击穿电压之比称为箝为系数。即:箝位系数=Vc(max )/V(BR) 一般箝位系数为1.3左右。 较da箝位电压VC(max )的测试方法见4.4。5.反向脉冲峰值功率PPR TVS的PPR取决于脉冲峰值电流IPP和较da箝位电压Vc(max ),tvs二极管厂家,除此以外,还和脉冲波形、脉冲时间及环境温度有关。
子元器件基础知识- -三极管
三极管,是一种具有三个电极的装置,也称为双较型晶体管、晶体三极管,实质上就是一块半导体基片上的两个PN结将其隔成基区、发射区和集电区,从而引出基较、发射机和集电极三个电极,tvs二极管价格,按结构可将其分为NPN型和PNP型。
三极管是一种电流控制电流的半导体器件,tvs二极管生产商,具有电流放大、用作开关、代换等多种作用,现已广泛存在于各电路中。
二极管
功率晶体管包括三极管和二极管,其典型的封装形式是THM(Through-HoleMount,tvs二极管,引脚插入式)插脚型封装,即使是在SMD(SurfacdMountingDevice,表面贴装元件)大行其道的今天也是如此,因为实践证明这种形式的封装既**又利于独立散热片的安装和固定。晶体管THM封装以TO(TransistorOutline,晶体管封装)为主要形式,而SMD形式的,以有引脚的为主要形式,IR(InternationalRectifier,国际整流器)开发的DirectFET封装则是其中的特例,属于无引脚而只有焊接端子的形式,这种形式在小功率SMD器件中的应用较为广泛。